| 公司名称: |
新锐晶科技有限公司 |
公司类型: |
企业单位 (制造商) |
| 所 在 地: |
重庆市/巫溪县 |
公司规模: |
200-1000人 |
| 注册资本: |
100万人民币 |
注册年份: |
2017 |
| 资料认证: |
|
| 保 证 金: |
已缴纳 0.00 元 |
| 经营模式: |
制造商 |
| 经营范围: |
电驱动碳化硅SiC模块,汽车主驱碳化硅MOSFET模块,EV Driver SiC MOSFET,定制IGBT模块,汽车IGBT模块,电动汽车碳化硅模块,国产SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模块,混合SiC-IGBT单管,三电平IGBT模块,I型三电平SiC模块,T型三电平SiC模块,IGBT模块,英飞凌SiC碳化硅MOSFET国产替代,安森美SiC碳化硅MOSFET国产替代,ST碳化硅MOSFET国产替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅国产 |
| 销售的产品: |
电驱动碳化硅SiC模块,汽车主驱碳化硅MOSFET模块,EV Driver SiC MOSFET,定制IGBT模块,汽车IGBT模块,电动汽车碳化硅模块,国产SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模块,混合SiC-IGBT单管,三电平IGBT模块,I型三电平SiC模块,T型三电平SiC模块,IGBT模块,英飞凌SiC碳化硅MOSFET国产替代,安森美SiC碳化硅MOSFET国产替代,ST碳化硅MOSFET国产替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅国产 |
| 采购的产品: |
未填写 |
| 主营行业: |
|
分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半导体碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块,BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC 混合IGBT单管,BASiC 混合IGBT模块,BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源,能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器,变换效率高,储能变流器碳化硅SiC功率MOSFET,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011, 基本半导体混合IGBT模块被广泛应用于新能源领域,医疗电源,X射线高压电源,大功率高频高速变频器,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器,实现直流升压降压转换,储能PCS-Buck-Boost电路,高压侧接入PV直流侧,三相维也纳PFC电路,三电平...